特許
J-GLOBAL ID：200903085748872257

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者：
河瀬 和雅

河瀬 和雅 について

, 
梅田 浩司

梅田 浩司 について

, 
井上 真雄

井上 真雄 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-118174
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303074
出願日： 2004年04月13日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 下地の領域を酸化させることなく比較的低い温度で絶縁膜の高密度化を行なうための薄膜形成装置と薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 薄膜形成装置50では、半導体基板7を収容して所定の薄膜を形成するために、反応室2、ステージ3、赤外線加熱機構11、シラン系ガス導入口8a、酸化性ガス導入口9a、シラン系ガス供給源8、酸化性ガス供給源9、排気口13および真空ポンプ15を備えている。さらに、半導体基板7上に形成されるシリコン酸化膜に酸素ラジカル処理を施すために、マイクロ波発生部5、アンテナ部4、アルゴンガス導入口10aおよびアルゴンガス供給源10を備え、アルゴンのプラズマが生成されて酸素が励起され、酸素ラジカルが生成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の基板を収容する反応室と、 前記反応室に収容された基板上に、所定の絶縁膜を形成するための膜形成部と、 前記反応室内に酸素ラジカルを生成し、前記膜形成部によって前記基板上に形成される絶縁膜に酸素ラジカル処理を施すためのラジカル生成部と、 前記膜形成部と前記ラジカル生成部の動作を制御するための制御部と、 前記反応室内を排気するための排気部と を備えた、薄膜形成装置。
IPC (3件)：
H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316
FI (3件)：
H01L21/31 C ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 P
Fターム (22件)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030LA02 ,  5F045AA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045BB12 ,  5F045HA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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