半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354467
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の動作の高速化に適した低抵抗のオーミックコンタクト部分を採用し、しかも当該コンタクト部分における高いバリア性、高いリーク電流耐性を維持発現出来る様にする。【解決手段】シリコン2の(100)面上に単結晶のCoSi2 膜から成るオーミックコンタクト部分9、10を設ける。

請求項（抜粋）：

シリコンの(100)面上に単結晶のCoSi2 膜から成るオーミックコンタクト部分が設けられている事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置における配線構造及び配線形成方法並びにMOS型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173702 出願人：ソニー株式会社
電子装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-297859 出願人：ソニー株式会社
コバルトシリサイドの薄い層が形成されるデバイスの作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085442 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

全件表示

前のページに戻る