特許
J-GLOBAL ID:200903085807848950

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝田 清暉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-277608
公開番号(公開出願番号):特開2000-114438
出願日: 1998年09月30日
公開日(公表日): 2000年04月21日
要約:
【要約】【課題】放熱効率及び性能安定性に優れると共に、製造適性にも優れた半導体装置を提供する。【解決手段】プリント配線基板上に実装したICパッケージと、そのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えている半導体装置。前記ICパッケージの表面と放熱体との間には、2.5W/mK以上の熱伝導率を有する熱伝導性材料が50〜500μmの厚さで配されている。
請求項(抜粋):
プリント配線基板上に実装したICパッケージと、そのICパッケージの表面に設けられた放熱体とを備えている半導体装置であって、前記ICパッケージの表面と放熱体との間に、2.5W/mK以上の熱伝導率を有する熱伝導性材料を50〜500μmの厚さで介在させてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/373
FI (2件):
H01L 23/36 D ,  H01L 23/36 M
Fターム (3件):
5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21
引用特許:
審査官引用 (3件)

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