特許
J-GLOBAL ID：200903085863011095

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
山内 尚

山内 尚 について

, 
木下 敦寛

木下 敦寛 について

, 
土屋 義規

土屋 義規 について

, 
古賀 淳二

古賀 淳二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015990
公開番号（公開出願番号）：特開2008-182147
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2008年08月07日
要約：
【課題】チャネル領域に歪みを有するMIS型電界効果トランジスタに関し、低抵抗な接合界面を実現する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板100上にゲート絶縁膜101を介してゲート電極102を形成するステップと、ゲート電極102の両側の、半導体基板中または基板上に、不純物濃度が5×1019atoms/cm3以上1021atoms/cm3以下のp型の高濃度不純物層108を形成するステップと、高濃度不純物層108に圧縮歪みがかかっている状態で、高濃度不純物層108を金属と反応させシリサイド化するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法およびその製造方法によって形成される半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成するステップと、 前記ゲート電極の両側の、前記半導体基板中または基板上に、不純物濃度が5×1019atoms/cm3以上1021atoms/cm3以下のp型の高濃度不純物層を形成するステップと、 前記高濃度不純物層に圧縮歪みがかかっている状態で、前記高濃度不純物層を金属と反応させてシリサイド層を形成するステップを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (12件)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 618C ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B
Fターム (118件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD50 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK18 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM15 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH22 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK15 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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