特許
J-GLOBAL ID：200903059378658098

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
舘下 八州志

舘下 八州志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-308597
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172209
出願日： 2007年11月29日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】混晶層中のGe濃度およびC濃度の許容範囲内で、チャネル領域に十分に応力を印加することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】Si基板1上にダミーゲート電極3を形成する。次に、ダミーゲート電極3をマスクにしたリセスエッチングにより、リセス領域7を形成する。次いで、リセス領域7の表面に、SiGe層からなる混晶層8をエピタキシャル成長させる。続いて、ダミーゲート電極3を覆う状態で、混晶層8上に、層間絶縁膜12を形成し、ダミーゲート電極3の表面が露出するまで、層間絶縁膜12を除去する。ダミーゲート電極3を除去することで、層間絶縁膜12にSi基板1を露出する凹部13を形成する。その後、凹部13内にゲート絶縁膜14を介してゲート電極15を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にダミーゲート電極を形成する第1工程と、 前記ダミーゲート電極をマスクにしたリセスエッチングにより、前記シリコン基板を掘り下げてリセス領域を形成する第2工程と、 前記リセス領域の表面に、シリコンとシリコンとは格子定数の異なる原子とからなる混晶層をエピタキシャル成長させる第3工程と、 前記ダミーゲート電極を覆う状態で、前記混晶層上に、絶縁膜を形成し、当該ダミーゲート電極の表面が露出するまで、当該絶縁膜を除去する第4工程と、 露出された前記ダミーゲート電極を除去することで、前記絶縁膜に凹部を形成する第5工程と、 前記凹部内にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する第6工程とを有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321C
Fターム (104件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD50 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC01 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA04 ,  5F140AA05 ,  5F140AA11 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG33 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG54 ,  5F140BG58 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK03 ,  5F140BK05 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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