半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-285592
公開番号（公開出願番号）：特開2007-096130
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】発光効率が高く、発熱が低減された半導体発光素子を提供する。【解決手段】第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された第1の半導体層3より屈折率が小さい発光層4と、発光層4上に配置された発光層4より屈折率が小さい第2の半導体層5と、第1の半導体層3及び第2の半導体層5に接続された発光層4に電流を供給する金属電極6a、6bと、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に配置された前記第1の半導体層より屈折率が小さい発光層と、前記発光層上に配置された前記発光層より屈折率が小さい第2の半導体層と、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に接続された前記発光層に電流を供給する金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041AA33 , 5F041AA43 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA66 , 5F041CA75 , 5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-362988 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
特開平4-240784
特開平4-207087

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