特許
J-GLOBAL ID：200903085883244916
凹穴型ドットマークの形成方法と同ドットマークを有する半導体ウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172404
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351835
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】光学的な視認性に優れ、半導体装置の製造後にもウェハ面から消失しい微小な凹穴型ドットマークを形成する方法と、同マークを有する半導体ウェハを提供する。【解決手段】半導体ウェハ(W) の表面又は裏面に、ウェハ面から一部が隆起する隆起部を有するドットマーク(M′) を所要数形成したのち、ウェハ表面に絶縁膜(IF)を形成する。このドットマーク(M′) 上の絶縁膜(IF)の一部を除去して、ピンホール状の小孔を形成し、次いでウェットエッチング液により小孔下の基板をエッチングして、前記ドットマーク(M′) を凹穴型ドットマーク(M) に変換させる。この凹穴型ドットマーク(M) はアスペクト比が大きいため、微小形態でも十分な視認性が確保され、またそのマーク形成によるコンタミの発生もない。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの表面又は裏面にウェハ面から一部が隆起する隆起部を有するドットマークを所要数形成すること、前記半導体ウェハに絶縁膜を形成すること、前記ドットマークの隆起部表面に形成された絶縁膜の一部を除去して、前記隆起部の一部表面を外部に露呈させること、及びウェットエッチング液により前記隆起部の一部露呈部からエッチングして、隆起部を有する前記ドットマークを凹穴型ドットマークに変換させること、を含んでなることを特徴とする微小な凹穴型ドットマークの形成方法。
引用特許：
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