特許
J-GLOBAL ID：200903085896418190

消去ブロックサイズを可変させることができる半導体メモリ装置

発明者：
權 錫 千

權 錫 千 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-249124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106278
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 電気的に書換えができる不揮発性半導体メモリ装置の定められている消去ブロックサイズを可変させ、消去動作を遂行することができる半導体メモリ装置を提供すること。【解決手段】 消去するブロックのアドレスをブロックアドレスレジスタ140に印加するとともに、外部から印加される消去ブロックサイズに対応したデータをブロックサイズデコーダ130でデコーディングすることにより得られた、可変された消去ブロックサイズに対応した情報を前記ブロックアドレスレジスタ140に印加することにより、可変された消去ブロックのアドレスをブロックアドレスレジスタ140から出力し、このアドレスをデコーディングして、その出力でメモリセルアレイ400のセルブロックを選択する。
請求項（抜粋）：
外部からのコマンド信号によって消去モード命令信号を発生し、かつ外部から印加される消去ブロックサイズに対応したデータとアドレスを入力して消去ブロックサイズを可変させ、可変された消去ブロックサイズに対応したプリデコーディング信号を出力する消去ブロックサイズ可変回路と、前記消去ブロックサイズ可変回路から印加される可変された消去ブロックサイズに対応したプリデコーディング信号をデコーディングするメインロウデコーダと、列と行方向に多数のメモリセルが配列され、多数のメモリセルが列方向に分割された多数のメモリブロックを備え、前記メインロウデコーダから出力されるデコーディング信号によって多数のメモリブロック中、該当するメモリブロックが選択されるメモリセルアレイとを具備することを特徴とする消去ブロックサイズを可変させることができる半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (2件)：
G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 633 E
引用特許：
審査官引用 (5件)
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