半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337851
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133316
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】埋め込み配線の露出表面を覆って保護する保護膜の膜厚の不揃いを改善して、多層配線化を図る際に、層間絶縁膜表面の十分な平坦度を確保できるようにする。また、絶縁膜上に保護膜形成用のめっき材が成膜されてしまうことを防止する。【解決手段】埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、無電界めっきで選択的に形成し、表面を平坦化したCo,Co合金,NiまたはNi合金の少なくとも一種からなる保護膜20を形成した。

請求項（抜粋）：

埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の表面に、表面を平坦化した保護膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , C23C 18/31

FI (5件)：

C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/288 Z , C23C 18/31 A , H01L 21/88 B

Fターム (68件)：

4K022AA02 , 4K022AA37 , 4K022AA41 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022CA06 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4K022EA04 , 4K024AA09 , 4K024AB03 , 4K024AB08 , 4K024AB15 , 4K024AB17 , 4K024BA01 , 4K024BA09 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024DB07 , 4K024GA16 , 4M104BB17 , 4M104BB32 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104EE05 , 4M104EE16 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ93 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F033XX20 , 5F033XX21

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板メッキ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-205138 出願人：株式会社荏原製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010324 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-329324 出願人：日本電気株式会社

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