特許
J-GLOBAL ID：200903085952200187
電子装置包囲体のための空気流を伴う高周波EMIシールド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313839
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256777
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 電子装置の包囲体のための電磁干渉(EMI)シールドを提供する。【解決手段】 EMI放射を発生する電子装置を収容するEMIシールド包囲体は、複数の導電性の壁と、少なくとも1つの非導電性の壁とを有する。導電性の壁は、包囲体内からの電磁放射が壁を通して放射できないように電気的に接続される。非導電性の壁は、トンネル穴が貫通する非導電性プラスチック壁である。穴は、包囲体に空気流を出し入れする。非導電性の壁及び穴の導電性被覆は、非導電性プラスチック壁を、EMIシールドのための導波管減衰作用をもつ導電性の壁に変換する。導波管減衰穴は、導電層がこのように被覆されると、包囲体内から上記穴を経て包囲体外部へ通過する電磁放射を減衰する。導波管減衰穴は、5ギガヘルツまでの周波数の電磁放射を効果的に減衰する。
請求項（抜粋）：
高周波電磁放射を放出する電子装置を収容するための電磁干渉(EMI)シールド包囲体において、使用中に包囲体の開口をカバーする非導電性材料で作られたプレートと、上記プレートを貫通する複数のトンネル開口と、包囲体の内部の上記非導電性プレートの表面の少なくとも一部分及び上記トンネル開口の壁に被覆された導電性の層とを備え、各々の上記トンネル開口は、その導電性の層と共に、導波管減衰器として作用して、電子装置からトンネル開口を通過する高周波電磁放射を減衰することを特徴とするEMIシールド包囲体。
引用特許：
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