特許
J-GLOBAL ID：200903086020146076
誘電体薄膜の製造方法及び薄膜電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-131233
公開番号（公開出願番号）：特開2009-280416
出願日： 2008年05月19日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】 エピタキシャル成長による誘電体薄膜の成膜を、低コストかつ簡易な方法で行うことができるとともに、高い誘電率を有する誘電体薄膜が形成された薄膜電子部品を低コストで得る。【解決手段】 粒成長の臨界粒径以下の粒子径を有するペロブスカイト型誘電体粒子を溶媒中に分散させてスラリーを形成し、一軸配向性を有する基板表面に前記スラリーを塗布し、前記スラリーを塗布した前記基板を熱処理する。下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上形成された上部電極と、を有する薄膜電子部品において、前記誘電体薄膜を上記の方法によって形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
粒成長の臨界粒径以下の粒子径を有するペロブスカイト型誘電体粒子を溶媒中に分散させてスラリーを形成し、一軸配向性を有する基板表面に前記スラリーを塗布し、前記スラリーを塗布した前記基板を熱処理することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C01G 23/00
, H01G 4/33
, H01G 4/12
C01G23/00 C
, H01G4/06 102
, H01G4/12 400
, H01G4/12 397
4G047CA07
, 4G047CB05
, 4G047CC02
, 4G047CD02
, 4G047CD04
, 4G047CD08
, 5E001AB06
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AH01
, 5E001AH09
, 5E001AJ02
, 5E082BC40
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG26
, 5E082FG46
, 5E082FG54
, 5E082PP09
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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引用文献：
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