特許
J-GLOBAL ID：200903086029557931
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-150048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-332982
出願日： 2004年05月20日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 薄型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 外周にリング3bが貼り付けられたテープ3aを半導体ウエハ1Wの主面に貼り付けた状態で半導体ウエハ1Wの裏面を研削および研磨し、半導体ウエハ1Wを薄くする。その後、そのリング3b付きのテープ3aを剥がすことなく半導体ウエハ1Wの主面に貼り付けたままの状態で半導体ウエハ1Wをダイシング装置に搬送し、半導体ウエハ1Wの裏面側からダイシング処理を施して、半導体ウエハ1Wを半導体チップに分割する。これにより、裏面加工により薄型にした半導体ウエハ1Wのハンドリングを容易にすることができる。また、裏面加工工程からダイシング工程に移行する時にテープの貼り替えを必要としないので製造工程を簡略化することができる。【選択図】 図13
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;
(a)主面およびその反対面の裏面を持つ半導体ウエハを用意する工程、
(b)前記半導体ウエハの主面に、半導体素子を有する半導体チップを形成する工程、
(c)前記半導体ウエハの主面に、外周に枠体が設けられたテープを貼り付ける工程、
(d)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研削した後、研磨する工程、
(e)前記半導体ウエハの主面に前記テープを貼り付けた状態で、前記半導体ウエハを切断し、前記半導体チップに分割する工程、
(f)前記(e)工程後の半導体チップを取り出す工程。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
, H01L21/78 N
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 C
, H01L21/78 Y
