特許

J-GLOBAL ID：200903086092769264

磁気メモリ

発明者： 道嶋 正司 ,  林 秀和 ,  南方 量二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325593
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133526
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 磁気メモリ素子に記録を行なうために使用される導体層の膜厚を必要最小限に設定する。【解決手段】 少なくとも外部磁界によって磁化の向きが反転する強磁性層5を有するメモリ素子1上に保護層6を介して、導体層7が積層されており、導体層7に流れる電流によって発生する磁界により、強磁性層5の磁化の向きを反転させて記録を行なう。導体層7と強磁性層5との距離は、0.1μm以下になっており、導体層7の膜厚が4μm以下になっている。

請求項（抜粋）：

少なくとも外部磁界によって磁化の向きが反転する強磁性層を有するメモリ素子と、該メモリ素子上に積層された導体層とを備え、該導体層に流れる電流によって発生する磁界により該強磁性層の磁化の向きを反転させて記録を行なう磁気メモリであって、該導体層と該強磁性層との距離が0.1μm以下であり、該導体層の膜厚が4μm以下であることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁性薄膜メモリ素子およびそれを用いた磁性薄膜メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111040   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-247678   出願人：三洋電機株式会社
• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション