特許
J-GLOBAL ID：200903086104558264

半導体製造装置

発明者：
田中 和夫

田中 和夫 について

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上野 正昭

上野 正昭 について

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山口 英人

山口 英人 について

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松田 充弘

松田 充弘 について

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中野 稔

中野 稔 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 石戸 久子 ,  ▲橋▼場 満枝 ,  赤澤 日出夫 ,  山口 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-283020
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119804
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】ウエーハの生産性を向上させるために炉内の温度を急速冷却させたときに外乱が生じても、常に安定したフィードバック制御が行えるようにする。【解決手段】定温、昇温工程の処理シーケンス情報が制御ループ切替情報Xとして切替制御部602へ入力されると切替器601はb接点に切替わる。これにより、カスケード熱電対の温度情報を入力する第1のPID調節部202とヒータ熱電対の温度情報を入力する第2のPID調節部204とによるカスケード制御ループにより、第2のPID調節部204の出力からの電力量Zによってヒータ101の温度制御を行う。強制冷却工程の処理シーケンス情報が制御ループ切替情報Xとして切替制御部602へ入力されると、切替器601はa接点に切替わり、第1のPID調節部202のみによる炉内温度直接制御ループにより、第1のPID調節部202の出力からの電力量Zによりヒータ101の制御を行う。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
反応管と、 前記反応管を加熱するヒータと、 前記反応管の温度を検出する第1の温度検出手段と、 前記ヒータの温度を検出する第2の温度検出手段と、 前記第1の温度検出手段の検出情報と前記第2の温度検出手段の検出情報とに基づいて前記反応管の温度制御を行うパターンと、前記ヒータの温度下降時において前記第1の温度検出手段の検出情報のみによって温度制御を行うパターンとを切替えて温度制御を行う制御手段とを備える半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L21/22 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324
FI (7件)：
H01L21/22 511A ,  H01L21/22 501C ,  H01L21/22 501N ,  H01L21/22 501Z ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 T
Fターム (14件)：
4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA22 ,  4K030KA26 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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