特許
J-GLOBAL ID:200903086125280100
半導体装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小栗 昌平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-198943
公開番号(公開出願番号):特開2003-017483
出願日: 2001年06月29日
公開日(公表日): 2003年01月17日
要約:
【要約】【課題】 誘電率が低くかつ機械的強度の強い絶縁膜を提供する。【解決手段】 基板表面に形成され、3次元ネットワーク構造の空孔からなるポーラス構造を具備してなる無機絶縁膜を具えたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板表面に形成され、3次元的なネットワークを構成する空孔を有するポーラス構造を有する無機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/316
, H01L 21/768
, H01L 27/105
FI (3件):
H01L 21/316 G
, H01L 27/10 444 B
, H01L 21/90 K
Fターム (26件):
5F033HH07
, 5F033HH35
, 5F033JJ04
, 5F033KK01
, 5F033MM05
, 5F033QQ37
, 5F033RR29
, 5F033SS22
, 5F033XX24
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC04
, 5F058BF22
, 5F058BF25
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F058BJ02
, 5F083FR02
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR22
, 5F083PR23
引用特許:
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