特許
J-GLOBAL ID:200903086146008310

半導体モジュールの接合構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-394883
公開番号(公開出願番号):特開2003-197859
出願日: 2001年12月26日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 ワイヤボンディングを必要とすることなく簡易にトランジスタ素子とダイオード素子の逆並列接合を行なう。【解決手段】 絶縁基板22上の導電板24にトランジスタ素子26を実装すると共にトランジスタ素子26の上面のエミッタ電極とダイオード素子の下面のアノード電極とを帯状の第1の電極板30の一端を介して接合する。また、ダイオード素子28の上面のカソード電極とトランジスタ素子26の下面のエミッタ電極に接触している導電板24とに帯状の第2の電極板32を掛け渡して接合する。これにより、ワイヤボンディングを必要とすることなくトランジスタ素子26とダイオード素子28とを並列接続することができる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に導電性部材を介して実装された第1の半導体素子に第2の半導体素子を積層して両素子を並列接続してなる半導体モジュールの接合構造であって、前記第1の半導体素子の上面側の電極と前記第2の半導体素子の下面側の電極との間に介在すると共に外部へ延伸した第1の電極板と、前記第2の半導体素子の上面側の電極と前記導電性部材とに接続されると共に前記第1の電極板とは異なる方向へ延伸した第2の電極板とを備える半導体モジュールの接合構造。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
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