特許
J-GLOBAL ID：200903086147127020
投影電子ビーム・リソグラフィ・マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370287
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189271
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 イオン・ビームおよび/または投影電子ビーム・リソグラフィに使用する改良されたマスクを提供する。【解決手段】 投影電子ビームリソグラフィなど荷電粒子ビームリソグラフィと共に使用するステンシルまたは散乱体マスクは、少なくとも約400GPaのヤング率を有する材料の膜層と、膜の表面を支持する支持ストラットとを備える。ストラットは、集積回路の設計領域に位置合わせされる、異なる縦横比の複数の個別膜領域を形成して取り囲む。膜は、炭化珪素、ダイヤモンド、ダイヤモンドライク・カーボン、アモルファス・カーボン、窒化珪素、または窒化ホウ素であることが好ましい。このような膜材料は、ひずみが小さく、イメージ配置誤差を減少する。
請求項（抜粋）：
集積回路に対応するイメージをマスクから半導体基板上へフォトリソグラフィック転写するためのマスクであって、エネルギーに対して部分的に透明な膜の上面にあり、前記膜の内側領域内にあるパターン付けされた散乱または吸収層と、前記膜の外側領域を支持する周縁支持部と、前記膜の前記内側領域を支持する支持ストラットとを備え、前記ストラットが前記支持部に接続され、前記集積回路の主要設計要素に位置合わせされる、マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/16 B
, H01L 21/30 541 S
