特許
J-GLOBAL ID:200903086193522766

酸化物人工超格子薄膜とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-325309
公開番号(公開出願番号):特開2000-154100
出願日: 1998年11月16日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 磁性等の特性の制御可能な、原子レベルでの秩序構造化した酸化物材料を提供する。【解決手段】 基板結晶面上に原子層単位で酸化物がエピタキシー積層成長されている酸化物人工超格子薄膜とする。
請求項(抜粋):
基板結晶面上に原子層単位で酸化物がエピタキシー積層成長されていることを特徴とする酸化物人工超格子薄膜。
IPC (6件):
C30B 29/68 ,  B01J 19/00 ,  B01J 19/12 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203
FI (7件):
C30B 29/68 ,  B01J 19/00 M ,  B01J 19/12 B ,  B01J 19/12 G ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/203 M
Fターム (22件):
4G075AA24 ,  4G075AA25 ,  4G075AA61 ,  4G075BC05 ,  4G075CA36 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC11 ,  4G077BC12 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA03 ,  4G077SC02 ,  4G077SC05 ,  5F103AA04 ,  5F103BB23 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103GG10 ,  5F103HH04 ,  5F103LL16
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る