特許
J-GLOBAL ID：200903086285255292

セラミック基板へのレーザー加工方法

発明者：
松崎 孝博

松崎 孝博 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086694
公開番号（公開出願番号）：特開2003-285192
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：
【要約】【課題】レーザー加工時に発生する溶融したセラミックスの飛着物がセラミック基板に付着することを防止するとともに、ヒュームの発生を抑え、かつレーザー加工後において余分な作業を発生させないようにする。【解決手段】セラミック基板1の加工表面にレーザー光を照射してレーザースクライブ、穴、溝等の加工を施す前に、上記加工表面に、澱粉を含有する溶剤を塗布し、余分な溶剤を飛ばして澱粉からなる保護膜2を被着するようにしてレーザー加工を行う。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の加工表面に、澱粉を溶媒中に分散させた溶剤を塗布、乾燥させて澱粉からなる保護膜を被着した後、上記加工表面にレーザ光を照射して、レーザースクライブ、穴、溝等の加工を施すようにしたことを特徴とするセラミック基板へのレーザー加工方法。
IPC (3件)：
B23K 26/18 ,  B23K 26/00 ,  C04B 41/91
FI (3件)：
B23K 26/18 ,  B23K 26/00 G ,  C04B 41/91 E
Fターム (3件)：
4E068CF03 ,  4E068DA11 ,  4E068DB12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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