加熱処理方法および加熱処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178752
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010596
出願日： 2006年06月28日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】安定した温度場下で水蒸気酸化処理等をすることができる加熱処理方法および加熱処理装置を提供すること。【解決手段】加熱された雰囲気下でウェハ6などの被処理物を処理する加熱処理装置であって、ウェハ6がセットされるトレイ5およびトレイ5にセットされたウェハを加熱するヒータ7を有した処理部2と、処理部2に送られるガスを予熱する予熱部3と、を有した加熱炉1を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

加熱された被処理物がセットされた処理部に予熱されたガスを導入して処理する加熱処理方法であって、前記処理部に導入するガスの温度を、前記処理部にセットした前記被処理物の温度と同じ温度に予熱部で予め調整してから、前記ガスを処理部に導入することを特徴とする加熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L21/316 S , H01L21/31 E

Fターム (27件)：

5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DP04 , 5F045EE02 , 5F045EE07 , 5F045EK27 , 5F045EM10 , 5F045GB09 , 5F045GB10 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF54 , 5F058BF63 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BJ04 , 5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-295073 出願人：沖電気工業株式会社
水蒸気酸化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-014260 出願人：ソニー株式会社
半導体発光素子の製法および酸化炉
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-379722 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (8件)

半導体発光素子の製法および酸化炉
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-379722 出願人：ローム株式会社
特開平1-115895
半導体酸化装置及び半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-037805 出願人：株式会社リコー, 株式会社エピクエスト

全件表示

前のページに戻る