半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145538
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340321
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】有機系の低誘電率膜から発生する脱離ガスにより、低誘電率膜もしくはその上の無機系絶縁膜に形成されるビアホールや配線溝への材料層の埋め込みに不良が発生していた。【解決手段】低誘電率膜16(22)上に無機系絶縁膜17(23)を備え、この無機系絶縁膜17(23)を少なくとも貫通するビアホールや配線溝からなる開口パターン18(24)が形成された半導体装置において、無機系絶縁膜17(23)を貫通する状態に形成されたダミー開口パターン19(25)を備えたものであり、ダミー開口パターン19(25)は開口パターン18(24)のパターン密度の低い領域に形成されているものである。

請求項（抜粋）：

低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備え、該無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンが形成された半導体装置において、前記無機系絶縁膜を貫通する状態に形成されたダミー開口パターンを備えたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-025952
特開昭63-025952
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-137057 出願人：ソニー株式会社

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