特許
J-GLOBAL ID：200903086373302489

光導波路素子およびその製造方法

発明者：
梨本 恵一

梨本 恵一 について

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羽賀 浩一

羽賀 浩一 について

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長ケ部 英資

長ケ部 英資 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272520
公開番号（公開出願番号）：特開2000-304958
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 高い特性を有し各種スイッチング素子、変調素子、フィルター素子、偏向素子、グレーティング素子あるいは光増幅素子など広範囲の光導波路素子となる、パターニングされたエピタキシャル酸化物薄膜光導波路を備えた光導波路素子を提供すること、また前記の光導波路素子のパターニングを精度よくまた生産性よく行うことができる光導波路素子の製造方法を提供すること【解決手段】 単結晶基板、単結晶状あるいはエピタキシャル状のスラブ型酸化物光導波路等の表面に、アモルファス状薄膜を形成した後、このアモルファス状薄膜をエッチングによって凸型形状にパターニングし、次いで、パターニングされたアモルファス状薄膜を加熱して固相エピタキシャル成長させることにより、パターニングされたエピタキシャル状酸化物薄膜光導波路を形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
単結晶基板の表面に、アモルファス状薄膜を形成した後、このアモルファス状薄膜をエッチングによって凸型形状にパターニングし、次いで、パターニングされたアモルファス状薄膜を加熱して固相エピタキシャル成長させることにより、パターニングされたエピタキシャル状酸化物薄膜光導波路を形成することを特徴とする光導波路素子の製造方法。
IPC (3件)：
G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/035
FI (3件)：
G02B 6/12 M ,  G02F 1/035 ,  G02B 6/12 N
Fターム (23件)：
2H047KA02 ,  2H047KA04 ,  2H047KA05 ,  2H047KA12 ,  2H047KB08 ,  2H047MA01 ,  2H047PA02 ,  2H047PA06 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA03 ,  2H047QA07 ,  2H047TA35 ,  2H047TA43 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079DA25 ,  2H079EA02 ,  2H079EA03 ,  2H079HA11 ,  2H079JA07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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