半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-161024
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006548
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】半導体レーザ素子の静電破壊耐圧を向上させることが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子において、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成し、この溝部分にレーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。また、前記半導体レーザ素子の製造方法において、前記半導体膜を積層する工程と、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成する工程と、前記溝部分に絶縁膜と金属膜とを順次積層しパターニングする工程とによって、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成する。上述した本発明によれば、レーザダイオードと並列に接続される耐圧素子によって半導体レーザ素子の静電破壊耐圧を向上させることが可能になる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板主面に半導体膜を積層して発光領域に形成されるレーザダイオードからビームを出射する半導体レーザ素子において、前記発光領域以外の非発光領域に、前記半導体基板に達する溝を形成し、この溝部分にレーザダイオードと並列に接続される耐圧素子を形成することを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/026 , H01S5/223

FI (2件)：

H01S5/026 650 , H01S5/223

Fターム (6件)：

5F073AA13 , 5F073AB11 , 5F073AB22 , 5F073CA06 , 5F073EA20 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327776 出願人：三菱電機株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-097258 出願人：三菱電機株式会社
半導体レーザ装置及び光システム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-268345 出願人：株式会社日立製作所

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