特許
J-GLOBAL ID：200903086445432900

荷電粒子線装置

発明者：
郡司 和弘

郡司 和弘 について

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兼岡 則幸

兼岡 則幸 について

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梅村 馨

梅村 馨 について

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石黒 浩二

石黒 浩二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-200601
公開番号（公開出願番号）：特開2007-018928
出願日： 2005年07月08日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 1つの装置でウエーハと微小サンプルの両方を扱えるようにし、一連のウエーハ、微小サンプルの加工、高解像度の分析等の処理を簡単にする。【解決手段】 イオンビーム3は収束、走査偏向され、微小サンプル5上の所望の微小領域に照射される。照射された部分はスパッタ、除去される。このエッチング加工処理により、サンプルに穴あけ加工、切断加工、薄膜化加工を行うことができる。電子ビーム4は収束、走査偏向され、微小サンプル5の上の所望の微小領域に照射される。微小サンプル用ホルダ7に保持・搭載された微小サンプル5に照射するイオンビームや電子ビームは、ウエーハ6やウエーハホルダ9上に搭載した微小サンプル10に照射する場合よりも、対物レンズとサンプルとの距離であるワーキングディスタンス(WD)を短くできるため、より細く収束することができる。従って、加工、観察、分析をより高解像度に行うことができるという利点がある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子ビームを発生する電子源及び第1の光学系と、 前記電子ビームと交差するイオンビームを発生する位置に設けられたイオン源と及び第2の光学系と、 前記電子ビームと前記イオンビームとが交差する位置又はその近傍の位置である第1の位置に微小試料を配置する第1の試料搭載手段と、 前記第1の位置よりも前記イオン源又は前記電子源のうちの少なくとも一方と反対側の位置である第2の位置に試料を配置する第2の試料搭載手段及び前記第2の位置から移動させる第1の移動手段と、 前記第1の位置からのビーム反射位置に配置される第1の荷電粒子検出器と、 前記第1の位置から前記電子ビーム又は前記イオンビームのいずれか一方のビームを直列的に前記第2の位置に導く第3の光学系と、 前記第2の位置からのビーム反射位置に配置される第2の荷電粒子検出器と、 前記第1の移動手段により前記微小試料を前記第1の位置から移動させた際に、前記一方のビームと異なる他方のビームを前記第3の光学系に導く偏向器と を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
IPC (4件)：
H01J 37/28 ,  H01J 37/30 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
H01J37/28 B ,  H01J37/28 C ,  H01J37/30 Z ,  H01J37/317 D ,  H01L21/66 J
Fターム (12件)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ38 ,  5C033UU03 ,  5C033UU04 ,  5C033UU09 ,  5C033UU10 ,  5C034AB09 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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