特許
J-GLOBAL ID：200903086503620585

強誘電体膜、強誘電体メモリ装置、圧電素子、半導体素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド及びプリンタ

発明者：
木島 健

木島 健 について

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▲濱▼田 泰彰

▲濱▼田 泰彰 について

, 
名取 栄治

名取 栄治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-302900
公開番号（公開出願番号）：特開2005-100660
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 1T1C、2T2C及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体膜101は、AB1-xNbxO3の一般式で示され、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、0.05≦x<1の範囲でNbを含む酸化物から形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
AB1-xNbxO3の一般式で示され、 A元素は、少なくともPbからなり、 B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、 0.05≦x<1の範囲でNbを含む、強誘電体膜。
IPC (9件)：
H01B3/12 ,  C01G33/00 ,  C04B35/49 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24
FI (20件)：
H01B3/12 301 ,  H01B3/12 302 ,  H01B3/12 309 ,  H01B3/12 313A ,  H01B3/12 313H ,  H01B3/12 313Z ,  C01G33/00 A ,  C04B35/49 D ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444Z ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 J
Fターム (56件)：
4G031AA07 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA14 ,  4G031AA18 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA29 ,  5F083HA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA02 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR42 ,  5F083PR52 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB08 ,  5G303CB15 ,  5G303CB21 ,  5G303CB22 ,  5G303CB25 ,  5G303CB26 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB37 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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