特許
J-GLOBAL ID：200903086534764712

半導体装置

発明者：
久野 裕道

久野 裕道 について

, 
鳥井 孝史

鳥井 孝史 について

, 
望月 雄一

望月 雄一 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について

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株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (4件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  松山 隆夫 ,  武藤 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323399
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093607
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 配置スペースの縮小および実装の作業性向上が実現される電極取出し構造を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 取出し用電極板100は、水平部分101および垂直部分102を含む。水平部分101の下面側の接続部位103において、板状取出し電極100はエミッタ電極Qeと電気的に接続される。接続部位103を除く部位の少なくとも一部の表面には、絶縁被膜80を介して導電膜90が形成される。絶縁被膜80および導電膜90を介してゲート電極Qgと接触する接触部位104の表面に形成された導電膜90は、ゲート電極Qgと電気的に結合される。ワイヤボンディングを用いることなく、一体的に設けられた板状取出し電極100および導電膜90によって、上側アーム素子QUのエミッタ電極Qeおよびゲート電極Qgに対する電気的コンタクトを小さいスペースで確保できる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1および第2の電極と、 前記第1の電極と電気的に接続される部位を有する導電性の電極板と、 前記電極板の前記第1の電極との接続部位を除く部位の少なくとも一部の表面に形成された絶縁被膜と、 前記絶縁被膜の表面に形成され、前記絶縁被膜によって前記電極板と絶縁された導電体とを備え、 前記導電体は、前記第2の電極と電気的に接続される、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/60 ,  H02M7/48
FI (2件)：
H01L21/60 321E ,  H02M7/48 Z
Fターム (9件)：
5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DA05 ,  5H007DB01 ,  5H007DC02 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174731   出願人：富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-067898   出願人：株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
  • 多層構造方式での高実装密度の半導体パワーモジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-106194   出願人：ゼミクロンエレクトローニクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
審査官引用 (1件)

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