特許
J-GLOBAL ID：200903086547057519
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びその方法で製造されたシリコンウェーハ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-028402
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223092
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 ゲルマニウムのドープ量を低減するとともに、ミスフィット転位の発生を抑制する。【解決手段】 先ずボロン及びゲルマニウムがドープされたシリコンインゴットをスライスしてシリコンウェーハ11を作製した後に、このウェーハ11を熱酸化処理してウェーハ11の表層部11a上に熱酸化膜12を形成する。これによりゲルマニウムの濃度をウェーハ11の熱酸化膜12との界面11c近傍で高くする。次にウェーハ11の表層部11aから熱酸化膜12を除去する。更にウェーハ11中のボロン濃度より低い濃度のボロンがドープされたシリコン単結晶からなるエピタキシャル層13をエピタキシャル成長法によりウェーハ11の表面表層部11b上に成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ボロン及びゲルマニウムがドープされたシリコンインゴットをスライスしてシリコンウェーハ(11)を作製する工程と、
前記ウェーハ(11)を熱酸化処理して前記ウェーハ(11)の表層部(11a)上に熱酸化膜(12)を形成することにより前記ゲルマニウムの濃度を前記ウェーハ(11)の前記熱酸化膜(12)との界面(11c)近傍で高くする工程と、
前記ウェーハ(11)の表層部(11a)から前記熱酸化膜(12)を除去する工程と、
前記ウェーハ(11)中のボロン濃度より低い濃度のボロンがドープされたシリコン単結晶からなるエピタキシャル層(13)をエピタキシャル成長法により前記ウェーハ(11)の表面表層部(11b)上に成長させる工程と
を含むエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F045AB02
, 5F045AC19
, 5F045AF03
, 5F045BB04
, 5F045DA59
, 5F045HA01
, 5F052KA01
, 5F052KA05
出願人引用 (2件)
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特開昭61-141700号公報(請求項1〜5、明細書第3頁左上欄第3行目〜第11行目、明細書第3頁右上欄第18行目〜同頁左下欄第2行目)
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エピタキシャルシリコン単結晶ウェーハ並びにその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-007094
出願人：三菱住友シリコン株式会社
審査官引用 (5件)
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