特許
J-GLOBAL ID:200903086562752398

ナノロッドの磁場配向方法と配向固定化方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-188250
公開番号(公開出願番号):特開2008-013415
出願日: 2006年07月07日
公開日(公表日): 2008年01月24日
要約:
【課題】 ナノ技術と強磁場技術との融合し、カーボンナノロッド類を磁場により選択的に配向方向を制御し、配向位置を固定化する。【解決手段】 10T(テスラ)以上の強磁場を印加して分散媒中のフラーレンまたはメタロフラーレンのナノロッドの軸方向を配向させ、その位置を固定する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
10T(テスラ)以上の強磁場を、分散媒中のフラーレンまたはメタロフラーレンのナノロッドに印加し、ナノロッド軸方向を配向させることを特徴とするナノロッドの磁場配向方法。
IPC (2件):
C01B 31/02 ,  B82B 3/00
FI (2件):
C01B31/02 101F ,  B82B3/00
Fターム (5件):
4G146AA07 ,  4G146AA16 ,  4G146BA04 ,  4G146CB10 ,  4G146CB40
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
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