特許
J-GLOBAL ID：200903086577449780
単結晶製造管理システム及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011908
公開番号（公開出願番号）：特開2007-191357
出願日： 2006年01月20日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】再生利用インゴットに含有される不純物量を正確に推定し、所望の比抵抗の単結晶を成長させる単結晶製造管理システム及び方法を提供する。【解決手段】本発明の単結晶製造管理システムは、単結晶におけるスライスしてウェハとされない部分を再利用インゴットとし、他の単結晶の成長に用いる際の不純物量管理を行うものであり、再利用インゴットを採取した単結晶の他の部分の比抵抗プロファイルを記憶する比抵抗プロファイル記憶部と、再利用インゴットの結晶の成長軸方向両端の比抵抗,引き上げ開始時の不純物濃度,偏析係数,固化率及び補正係数から選択された1以上を含む変数からなる不純物濃度推定式と、比抵抗プロファイルとから再利用インゴット内の比抵抗プロファイル示すプロファイル式を求めるシミュレーション部と、比抵抗プロファイル式に基づいて、再利用インゴット内の不純物量を算出する不純物量算出部とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
引き上げ法による単結晶の成長処理において、スライスしてウェハとされない部分を再利用材料として、他の単結晶の成長に用いる際の不純物量管理を行う単結晶製造管理システムであり、
前記単結晶におけるウェハとした部分の比抵抗プロファイルを記憶する比抵抗プロファイル記憶部と、
前記単結晶における再利用材料である再利用インゴットの結晶の成長軸方向両端の比抵抗,引き上げ開始時の不純物濃度,偏析係数,固化率及び補正係数から選択された1以上を含む変数からなる不純物濃度推定式と、前記比抵抗プロファイルとから再利用インゴット内の比抵抗プロファイルを示す比抵抗プロファイル式を求めるシミュレーション部と、
前記比抵抗プロファイル式に基づいて、再利用インゴット内の不純物量を算出する不純物量算出部と
を有することを特徴とする単結晶製造管理システム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EC01
, 4G077EC10
, 4G077HA12
, 4G077PB04
, 4G077PB05
, 4G077PB09
, 4G077PB14
