特許
J-GLOBAL ID：200903086613061743

半導体素子及びその製造方法

発明者：
白石 尚寛

白石 尚寛 について


出願人/特許権者：
ミツミ電機株式会社

ミツミ電機株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426161
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183867
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 少ない工程数でオフセット領域(低濃度拡散領域)を形成する。【解決手段】 シリコン基板上に形成されたゲート領域1と、ソース領域2、ドレイン領域3とを備える半導体素子である。ソース領域2、ドレイン領域3の上部酸化膜4に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域2a、3aとして形成されている。Si-SiO2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のSi及びSiO2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。例えばホウ素の場合、偏析係数が小さいので、酸化によって表面近くの濃度が減少する。この特性を利用してオフセット領域を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されたゲート領域と、ソース/ドレイン領域とを備える半導体素子であって、 前記ソース/ドレイン領域の上部酸化膜に酸化を促進する原子が注入され、不純物の偏析による低濃度拡散領域がオフセット領域として形成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78
FI (2件)：
H01L29/78 301L ,  H01L21/265 J
Fターム (17件)：
5F140AA00 ,  5F140AA40 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD18 ,  5F140BE15 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BH15 ,  5F140BH22 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK22 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
  • 特開昭63-261755
  • 特開平3-139826
  • MOS型半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146631   出願人：ソニー株式会社
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