特許
J-GLOBAL ID：200903086626723877

被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
前田 和夫

前田 和夫 について

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鈴木 摂

鈴木 摂 について

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安住 孝芳

安住 孝芳 について

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佐々木 清隆

佐々木 清隆 について


出願人/特許権者：
キヤノン販売株式会社

キヤノン販売株式会社 について

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株式会社半導体プロセス研究所

株式会社半導体プロセス研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001759
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345306
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 被成膜基板102の被成膜面12aに絶縁膜15を成膜する前の被成膜面12aに、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体を含むガス、又は水溶液を接触させる工程と、次いで、過酸化水素、オゾン、酸素、硝酸、硫酸或いはこれらの誘導体を含むガス又は水溶液を被成膜面12aに接触させる工程とを有する。
請求項（抜粋）：
被成膜基板の被成膜面に絶縁膜を成膜する前の前記被成膜面に、アンモニア、ヒドラジン、アミン、アミノ化合物或いはこれらの誘導体を含むガス、又は水溶液を接触させる工程と、次いで、過酸化水素、オゾン、酸素、硝酸、硫酸或いはこれらの誘導体を含むガス又は水溶液を前記被成膜面に接触させる工程とを有することを特徴とする被成膜面の改質方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40
FI (5件)：
C23C 16/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/302 P
Fターム (22件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004EA10 ,  5F004EA34 ,  5F004EB03 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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