特許
J-GLOBAL ID：200903086633851473
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109950
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298210
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 紫外域半導体受光素子に関し、低動作バイアス電圧で動作させること。【解決手段】 結晶の成長方向は[0001]に行う。pin構造を形成するp型GaN層22は、サファイア基板10との格子不整合による歪を同層22内で緩和するために数ミクロン程度の厚さに形成する。続いて、p型GaN層22の上にi型AlGaN層24を形成する。さらに、i型AlGaN層24の上にn型GaN層26を形成する。各層22,24,26はウルツ鉱型構造を有している。i型AlGaN層24は直下のp型GaN層22よりも小さな格子定数を持つ半導体材料で形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上の[0001]方向にp層、i層、n層の順序で堆積したウルツ鉱型半導体を用いた層構造を有する半導体受光素子において、前記p層および前記n層は前記i層より格子定数が大きいことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 K
4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA06
, 4M118CA05
, 4M118CB01
, 4M118CB14
, 4M118GA10
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA13
, 5F049SE05
, 5F049SS01
, 5F049SS07
, 5F049SS09
, 5F049UA11
, 5F049WA05
