特許
J-GLOBAL ID：200903060337770590

GaN系半導体発光素子およびGaN系半導体受光素子

発明者：
湖東 雅弘

湖東 雅弘 について

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岡川 広明

岡川 広明 について

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大内 洋一郎

大内 洋一郎 について

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只友 一行

只友 一行 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-346237
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174339
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 光を取り出す側の電極の構造を改善し、より発光特性の優れたGaN系発光素子を提供し、また、光を取り入れる側の電極の構造を改善し、より受光特性の優れたGaN系受光素子を提供すること。【解決手段】 上部電極P1の形成パターンを、該電極P1がコンタクト層S3の上面を覆う被覆領域と、層S3の上面を覆わず露出させる露出領域とが交互に並んだ繰り返し部分を有する形成パターンとして、この繰り返し部分において、被覆領域の幅をW、露出領域の幅をG、コンタクト層S3の上面から発光層S2までの深さをd、コンタクト層の屈折率をn1、外界の屈折率をn2として、W≦10μm、W≦2G、G≦d×tanθ1(ただし、θ1=sin-1(n2/n1))満足させる。また、その他種々の上部電極の態様を付与する。
請求項（抜粋）：
GaN系材料からなる発光層を有するGaN系半導体発光素子であって、発光層に対し光が外界へ出ていく側を上部側として、発光層の上部側には、電極を形成するためのGaN系材料からなるコンタクト層を介して上部電極が設けられ、該上部電極の形成パターンは、該電極がコンタクト層上面を覆う被覆領域と、該電極がコンタクト層上面を覆わず露出させる露出領域とが交互に並んだ繰り返し部分を有する形成パターンであって、前記繰り返し部分において、繰り返しの方向に関する個々の被覆領域の幅をWとし個々の露出領域の幅をGとし、コンタクト層上面から発光層までの深さをd、コンタクト層の屈折率をn1、外界の屈折率をn2とするとき、W≦10μm、W≦2G、G≦d×tanθ1(ただし、θ1=sin-1(n2/n1))、であることを特徴とするGaN系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 31/10 H
Fターム (23件)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CB02 ,  5F041CB13 ,  5F041DA19 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049PA04 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049WA03
引用特許：
審査官引用 (20件)
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