特許
J-GLOBAL ID：200903086661538942
位相シフトマスク及びその製造方法並びにその修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323132
公開番号（公開出願番号）：特開平7-152143
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 露光特性上の問題のないシフタ-上置き型の位相シフトマスクの構造において、エッチングストッパ-層のダメ-ジを防止し、マスク面内の透過率分布を均一にすることができる位相シフトマスク及びその製造方法を提供すること並びに欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合にも修正することができる位相シフタ-層の欠陥修正方法を提供すること。【構成】 透明基板1上に遮光層2を形成し、これを修正した後、エッチングストッパ-層3及び位相シフタ-層4を形成した位相シフトマスクであり、遮光層2の形成及び修正時にエッチングストッパ-層3にダメ-ジを与えることがなく、マスク面内の透過率を均一にすることができる。欠陥のある位相シフタ-層及びエッチングストッパ-層を除去した後、再びエッチングストッパ-層3及び位相シフタ-層4を形成することで、欠陥の数が多い場合やマスク全面で異常が生じている場合に修正することができる位相シフタ-層の欠陥を修正する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に遮光材料による所定の遮光パタ-ンと透明材料による位相シフタ-層を有する位相シフトマスクにおいて、前記透明基板及び前記遮光パタ-ンの上に前記位相シフタ-層のエッチングストッパ-層を有することを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 528
