特許
J-GLOBAL ID：200903086663855848
シリコンウエーハの分割方法および分割装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-376098
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142303
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】シリコンウエーハに熱影響を与えることなく確実に分割することができるシリコンウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】シリコンウエーハ10を所定の分割予定ラインに沿って分割するシリコンウエーハの分割方法であって、シリコンウエーハ10に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射してシリコンウエーハ10の内部から少なくともレーザー光線が照射される面10bに露出する変質層110を形成する変質層形成行程と、変質層110が形成された該分割予定ラインに沿って該変質層110が露出された側からシリコンウエーハ10に対して吸収性を有するレーザー光線を照射して分割予定ラインに沿って熱応力を発生せしめることによりシリコンウエーハ10を分割予定ラインに沿って分割する分割行程とを含む。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
シリコンウエーハを所定の分割予定ラインに沿って分割するシリコンウエーハの分割方法であって、
該シリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該シリコンウエーハの内部から少なくともレーザー光線が照射される面に露出する変質層を形成する変質層形成行程と、
該変質層が形成された該分割予定ラインに沿って該変質層が露出された側からシリコンウエーハに対して吸収性を有するレーザー光線を照射し、該分割予定ラインに沿って熱応力を発生せしめることにより該シリコンウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割行程と、を含む、
ことを特徴とするシリコンウエーハの分割方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/78 B
, B23K26/00 320E
4E068AD01
, 4E068AE01
, 4E068CA01
, 4E068CA03
, 4E068CA08
, 4E068CA09
, 4E068CE01
, 4E068DA10
出願人引用 (2件)
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レーザ加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-277163
出願人：浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-277172
出願人：浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (3件)
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レーザ加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-278663
出願人：浜松ホトニクス株式会社
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レーザ加工方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-277172
出願人：浜松ホトニクス株式会社
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電子回路装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-065841
出願人：株式会社日立製作所
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