特許

J-GLOBAL ID：200903086692685862

樹脂、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 竹下 優 ,  岩下 淳 ,  岩井 武 ,  大篭 祐二
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  三菱化学株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-265515
公開番号（公開出願番号）：特開2007-213001
出願日： 2006年09月28日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】新規な樹脂、該樹脂を用いたレジスト組成物およびレジストパターン形成方法。【解決手段】基材樹脂成分と露光により酸を発生する酸発生剤成分とを含有するレジスト組成物であって、前記基材樹脂成分が、下記式で表される構成単位を有する樹脂を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物であって、 前記(A)成分が、下記一般式(a-0)

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28

Fターム (26件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 3-(メタ)アクリロイロオキシ-4-ヒドロキシテトラヒドロフランおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-147710   出願人：三菱化学株式会社
• 単量体とその製造方法、共重合体樹脂とその製造方法、前記共重合体樹脂を含むフォトレジスト組成物とその製造方法、および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367517   出願人：現代電子産業株式会社
• 重合性アダマンタン誘導体、高分子化合物、フォトレジスト用樹脂組成物、及び半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-272029   出願人：ダイセル化学工業株式会社