特許
J-GLOBAL ID:200903086696479000
高周波モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 全啓
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-217942
公開番号(公開出願番号):特開2002-184898
出願日: 2001年07月18日
公開日(公表日): 2002年06月28日
要約:
【要約】【課題】 多層基板上に電子部品を搭載した高周波モジュールにおいて、電子部品の実装強度が高く、小型で、良好な特性を有する高周波モジュールを得る。【解決手段】 高周波モジュール10は、2つのグランド電極22,24が形成された多層基板12を含む。多層基板12上のランド14上に、バンプ18によって電子部品16を接続する。グランド電極22,24の間にストリップライン電極26,28を形成することにより、インピーダンス素子を形成する。電子部品16とストリップライン電極26,28とは、スルーホール30,32で接続する。また、ストリップライン電極28とグランド電極22とは、スルーホール34で接続する。ストリップライン電極の形状を変えることにより、さまざまなインピーダンス素子を形成することができる。
請求項(抜粋):
多層基板、前記多層基板上に形成されるベアチップ状の電子部品、前記多層基板上において前記電子部品を封止するための樹脂、および前記多層基板内に形成されるストリップラインからなるインピーダンス素子を含む、高周波モジュール。
IPC (3件):
H01L 23/12 301
, H01P 3/08
, H03B 5/18
FI (3件):
H01L 23/12 301 C
, H01P 3/08
, H03B 5/18 C
Fターム (7件):
5J014CA00
, 5J014CA55
, 5J081AA11
, 5J081CC37
, 5J081EE09
, 5J081JJ05
, 5J081MM07
引用特許: