特許
J-GLOBAL ID：200903086737785022
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019451
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210569
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 ガードリングからのリーク電流を低減することができるショットキーダイオードなどの半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 N型のSiCからなる高濃度層3と、高濃度層3上に積層されN型のSiCからなり高濃度層3よりも不純物濃度が低いドリフト層4と、ドリフト層4上に積層されN型のSiCからなりドリフト層4よりも不純物濃度が低い低濃度層6aと、低濃度層6a上に形成され低濃度層6aとショットキー接触したバリアメタル膜8と、P型のSiCからなり低濃度層6a内に埋設されている部位、低濃度層6aから露出している部位、その露出している部位の一部であってバリアメタル膜8の周辺部と接している部位を有するガードリング領域5とを有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のSiCからなる高濃度層と、
前記高濃度層上に積層されているとともに前記第1導電型のSiCからなり前記高濃度層よりも不純物濃度が低いドリフト層と、
前記ドリフト層上に積層されているとともに前記第1導電型のSiCからなり前記ドリフト層よりも不純物濃度が低い低濃度層と、
前記低濃度層上に形成されているとともに該低濃度層とショットキー接触したバリアメタル膜と、
第2導電型のSiCからなるとともに、前記低濃度層内に埋設されている部位、該低濃度層から露出している部位、該露出している部位の一部であって前記バリアメタル膜の周辺部と接している部位を有するガードリング領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB21
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD79
, 4M104DD84
, 4M104FF13
, 4M104FF26
, 4M104FF31
, 4M104FF35
, 4M104GG03
