特許
J-GLOBAL ID:200903086743114466
シンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-175838
公開番号(公開出願番号):特開2000-009846
出願日: 1998年06月23日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】 シンチレータの耐湿性を向上させると共に解像度を向上させることである。【解決手段】 シンチレータパネル2のFOP10の一方の表面には柱状結晶構造のシンチレータ12が形成されている。この柱状結晶構造のシンチレータ12の隙間には、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14が充填され、シンチレータ12が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14により覆われている。また、この加熱発色処理を施したポリパラキシリレン14の表面には、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜16が設けられ、更に、このポリパラキシリレン膜16の表面に耐湿性の向上を目的とするAl膜18が形成されている。
請求項(抜粋):
基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパネル。
IPC (2件):
FI (2件):
G01T 1/20 E
, H01J 31/50 A
Fターム (13件):
2G088FF02
, 2G088GG10
, 2G088GG14
, 2G088JJ09
, 2G088JJ35
, 2G088JJ37
, 2G088LL15
, 2G088LL21
, 2G088MM04
, 5C037GH04
, 5C037GH05
, 5C037GH18
, 5C037GJ01
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
放射線撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-112326
出願人:キヤノン株式会社
-
誘電体膜の成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-273838
出願人:ソニー株式会社
-
特開平1-240887
全件表示
前のページに戻る