特許
J-GLOBAL ID：200903086752092378

不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入/出力制御方法及びメモリ応用システム

発明者：
権 錫 千

権 錫 千 について

, 
崔 永 準

崔 永 準 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395334
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208288
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリ装置のページサイズはメモリ応用システムに関係なく拡張でき、高速読み出し/書き込み動作を達成できる不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入/出力制御方法およびメモリ応用システムを提供すること。【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置は、制御回路を含み、その制御回路は、データが内部のレジスタから入出力ピンに伝達される間、又は、入出力ピンからレジスタに伝達される間、入出力ピンに外部アドレスが印加される時、入出力ピンに提供された外部アドレスを列アドレスレジスタに貯蔵する機能を実行する。すなわち、列アドレス変更機能を有する。
請求項（抜粋）：
行と列のマトリックス形態に配列されたメモリセルを有するアレイと、このアレイに/から貯蔵される/読み出されたデータを臨時に貯蔵する複数のラッチとを含む不揮発性半導体メモリ装置において、入出力ピンに提供されるデータをアドレスとして貯蔵するアドレスバッファ回路と、このアドレスバッファ回路に貯蔵されたデータを列アドレスとして取り込み、入力された列アドレスを順次に増加させる列アドレスレジスタと、この列アドレスレジスタから順次に出力される列アドレスに応じて、ラッチのグループを選択する選択回路と、前記入出力ピンを通じて入力されるデータをデータ入力信号に同期して前記選択されたラッチに伝達し、前記選択されたラッチに貯蔵されたデータをデータ出力信号に同期して前記入出力ピンに伝達するデータ入/出力回路と、前記データが前記選択されたラッチから前記入出力ピンに伝達される間、又は、前記入出力ピンからラッチに伝達される間、前記入出力ピンに提供される前記外部アドレスが前記列アドレスレジスタに貯蔵されるように、前記アドレスバッファ回路及び前記列アドレスレジスタを制御する手段とを含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (6件)：
G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 636 A ,  G11C 17/00 636 B ,  G11C 17/00 634 G ,  G11C 17/00 634 A
Fターム (5件)：
5B025AA01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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