特許
J-GLOBAL ID：200903086778653734
半導体製品の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-252075
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095683
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】半導体製品の製造方法に関し、二重露光法でレジスト・パターンを形成する場合、2枚のマスクに対する露光量を別個に補正する際、それぞれの露光量に於ける補正量を関連させて補正し、パターン寸法を目標に近付ける。【解決手段】第1のマスク及び第2のマスクである2枚のマスクを同一領域に合わせて露光転写するに際し、第1のマスクで露光する時の露光量のみに依って完成寸法が支配的に影響を受けるパターンの寸法測定結果に基づいて第1のマスクに対する露光量を決定する工程と、第1のマスクと第2のマスクの双方を露光する時の露光量の相互作用に依って完成寸法が影響を受けるパターンの寸法測定結果及び前記決定した第1のマスクに対する露光量に基づいて第2のマスクに対する露光量を決定する工程とが含まれる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に塗布したレジストに半導体装置形成の為の形状パターンを転写するリソグラフィ工程に於いて、
第1のマスク及び第2のマスクである2枚のマスクを同一領域に合わせて露光転写するに際し、第1のマスクで露光する時の露光量のみに依って完成寸法が支配的に影響を受けるパターンの寸法測定結果に基づいて第1のマスクに対する露光量を決定する工程と、
第1のマスクと第2のマスクの双方を露光する時の露光量の相互作用に依って完成寸法が影響を受けるパターンの寸法測定結果及び前記決定した第1のマスクに対する露光量に基づいて第2のマスクに対する露光量を決定する工程と
が含まれてなることを特徴とする半導体製品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 514A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 516D
5F046AA13
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046BA08
, 5F046CB17
, 5F046DA02
, 5F046DD03
