特許

J-GLOBAL ID：200903086809813883

シリコン単結晶引上装置及びこの装置を用いたシリコン単結晶製造方法

発明者： 高野 英明 ,  下坂 信 ,  岩田 進 ,  森永 政幸 ,  阿部 直 ,  西堀 史高 ,  中尾 淳 ,  佐藤 晴彦 ,  角津 正則
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350122
公開番号（公開出願番号）：特開2001-163696
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：

【要約】【課題】 石英ルツボに起因する石英ガラスやクリストバライト等の珪酸系異物、炉内の黒鉛部材や炭化珪素部材に起因する炭素系異物及びシリコン融液から蒸発するシリコン酸化物に起因する異物等の各異物を結晶成長界面から排除することにより、シリコン単結晶の無転位化を阻害する要因を除去し、その結果、内部に転位や欠陥をほとんど有さない良質のシリコン単結晶製品を生産することができるシリコン単結晶引上装置、及びこれを用いた単結晶製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置において、シリコン融液にカスプ磁場を印加する同極対向磁石11a、11bが引上炉外壁の上下に配設されると共に、前記引上炉上部から炉内に導入される不活性ガスを引上られつつあるシリコン単結晶の周面近傍から融液表面外側に向かって放射状に流すための筒状ガス整流装置9が配設されている。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置において、シリコン融液にカスプ磁場を印加する同極対向磁石が引上炉外壁の上下に配設されると共に、前記引上炉上部から炉内に導入される不活性ガスを引上られつつあるシリコン単結晶の周面近傍から融液表面外側に向かって放射状に流すための筒状ガス整流装置が配設されていることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 K

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG24 ,  4G077EJ02 ,  4G077PA04 ,  4G077RA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶シリコンの製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-280152   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶シリコンの製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-340507   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶育成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-128021   出願人：住友シチックス株式会社
• シリコン単結晶育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-304208   出願人：日本電気株式会社