特許
J-GLOBAL ID:200903005004648495

バルク酸化物超電導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-065981
公開番号(公開出願番号):特開平9-255335
出願日: 1996年03月22日
公開日(公表日): 1997年09月30日
要約:
【要約】【課題】 超電導特性のよい、大きい磁場(強い磁場)を発生するバルク酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 半溶融法(メルトプロセス法)でREBa2Cu3O7-x(xは酸素欠損量、REはイットリウムを含むランタノイド元素)系の超電導体バルクを製造するバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記REBa2Cu3O7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気としたものである。
請求項(抜粋):
半溶融法(メルトプロセス法)でREBa2Cu3O7-x(xは酸素欠損量で0〜0.5、REはイットリウムを含むランタノイド元素)系のバルク超電導体を製造するバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記REBa2Cu3O7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気としたことを特徴とするバルク酸化物超電導体の製造方法。
IPC (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565
FI (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 B ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D
引用特許:
審査官引用 (12件)
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