特許
J-GLOBAL ID：200903086894496069

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者：
杉本 博司

杉本 博司 について

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大塚 健一

大塚 健一 について

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樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について

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今泉 昌之

今泉 昌之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-137061
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334998
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】【課題】 逆リーク電流の低い炭化珪素半導体装置を安価に提供する。【解決手段】 炭化珪素半導体は、SiC基板1と、この上面に形成されたSiCからなるドリフト層2と、このドリフト層2に接してドリフト層2の上面の一部の領域を覆うように配置され、ドリフト層2と接する界面をショットキー障壁として機能させるためのショットキー障壁電極4とを備える。ショットキー障壁電極4の外周縁部領域においては、ドリフト層2とショットキー障壁電極4との間に、ガードリングとして高抵抗ガードリング18が介在し、ショットキー障壁電極4はガードリングによって持ち上げられた形状となっている。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体材料からなる基板と、前記基板の上面に形成された炭化珪素半導体材料からなるドリフト層と、前記ドリフト層に接して前記ドリフト層の上面の一部の領域を覆うように配置され、前記ドリフト層と接する界面をショットキー障壁として機能させるためのショットキー障壁電極とを備え、前記ショットキー障壁電極の外周縁部領域においては、前記ドリフト層と前記ショットキー障壁電極との間に、ガードリングを介在し、前記ショットキー障壁電極が前記ガードリングによって持ち上げられた形状となっている、炭化珪素半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 E ,  H01L 29/48 F
Fターム (10件)：
4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF34 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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