特許
J-GLOBAL ID：200903086916732837

ドーパントバイパスを有する低圧化学気相堆積装置

発明者：
キア, リー-チュン

キア, リー-チュン について

, 
イエー, エリー

イエー, エリー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-547278
公開番号（公開出願番号）：特表2002-514003
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：
【要約】ドーパント源912,913から排出装置88へのバイパス902を有する低圧化学気相堆積(「SACVD」)装置900と、その方法および器具を提供する。ドーパントをチャンバ15を通して流さずに、SACVD装置900の真空排出装置88の前線908に直接ドーパントの流れを向けることで、ドーパントを流してもよい。基板上にシリコンガラス膜を堆積させる前に、このようにしてドーパントの流れを確立することで、シリコンガラス膜の最初の部分をより高いレベルでドープできる。従来の装置では、ドーパントが完全に流れる前にシリコンガラスのドーパント不足領域が生じていた。一実施形態では、ドープされたシリコンガラス膜が半導体材料用のドーパント源912,913として使用され、別の実施形態では、多層構造のドープされたシリコンガラス膜が優れたリフローを達成する。
請求項（抜粋）：
基板処理装置であって、前記装置は: 真空チャンバと; 堆積ガス源から堆積ガスを受けるように構成されたガス混合装置と; ドーパントガス源からドーパントガスの流れを受け、バイパスを介して、前記ガス混合装置または排出装置のいずれかへと、ドーパントガスの流れを選択的に送り出すように構成された選択弁と; 前記混合装置を真空チャンバへと接続する導管と; 前記真空チャンバを排出装置に接続する排出ラインと、を含む、基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/316 X
Fターム (42件)：
4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA20 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AC11 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB19 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE15 ,  5F045EF05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045GB15 ,  5F058BA09 ,  5F058BC04 ,  5F058BC05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BH08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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