特許

J-GLOBAL ID：200903086927044991

入出力保護装置

発明者： 堀口 洋子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-272338
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164816
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 EOS/ESD規格のデバイスシミュレーションテストにおいて、200V以上の耐圧を有する優れた入出力保護装置の提供。【解決手段】 第1導電性の半導体基板上に対向配置された第2導電性の拡散層間に放電を誘発させて外来ノイズによる内部回路の破壊を防止する寄生バイポーラ素子を有する入出力保護装置において、配線金属層と拡散層とを接続する複数のコンタクトを有し、少なくとも保護素子の入力部側端部のコンタクトに他のコンタクトよりもその抵抗を増大させる手段を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電性の半導体基板上に対向配置された第2導電性の拡散層間に放電を誘発させて外来ノイズによる内部回路の破壊を防止する寄生バイポーラ素子を有する入出力保護装置において、配線金属層と拡散層とを接続する複数のコンタクトを有し、少なくとも保護素子の入力部側端部のコンタクトに他のコンタクトよりもその抵抗を増大させる手段を設けたことを特徴とする入出力保護装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 21/90 A ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205612   出願人：日本電気株式会社
• 半導体デバイスにおける静電破壊防止回路およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-186989   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-102344   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-210838