特許
J-GLOBAL ID：200903091170881789

半導体装置

発明者：
内木場 俊貴

内木場 俊貴 について

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坂上 雅彦

坂上 雅彦 について

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山本 章裕

山本 章裕 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102344
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040788
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 入力パッドと電気的に接続される高濃度拡散層の面積を大きくすることなく、サージ電流を吸収する能力を向上させる。【解決手段】 基準電圧VSSに接続されたp型半導体基板10には、所定の間隔をおいて第1のn型高濃度拡散層21及び第2のn型高濃度拡散層22が形成され、第1のn型高濃度拡散層21の直下の領域には第1のn型低濃度拡散層31が形成されていると共に、第2のn型高濃度拡散層22の直下の領域には第2のn型低濃度拡散層32が形成されている。第1の金属層51及び高抵抗導電層60は入力パッドINPと第1のn型高濃度拡散層21とを接続し、第2の金属層52は、基準電圧VSSを供給する基準電圧パッドVSPと第2のn型高濃度拡散層52とを接続している。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に形成された第2導電型の第1の高濃度拡散層と、前記半導体基板に前記第1の高濃度拡散層と間隔をおいて形成され、基準電圧が印加される第2導電型の第2の高濃度拡散層と、入力回路又は入出力回路に入力信号を入力するための入力パッドと前記第1の高濃度拡散層とを電気的に接続する導電層と、前記半導体基板における前記第1の高濃度拡散層の直下の領域に形成された第2導電型の第1の低濃度拡散層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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