特許
J-GLOBAL ID：200903086944389480

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
角田 弘昭

角田 弘昭 について

, 
白田 理一郎

白田 理一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306889
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 メモリセル以外のトランジスタに浮遊ゲートを持たせることによってゲート酸化膜の共有化をはかるとともに製造工程数の削減を達成する。【構成】 半導体基板1は、浮遊ゲート6とこの上の制御ゲート13とを有するメモリセルトランジスタ19と、メモリセル以外のトランジスタ18、20、21とを備え、メモリセル以外に使用されるトランジスタは、第1のゲート電極とこの上の第2のゲート電極とを有し、第1のゲート電極は浮遊ゲートとして用いる。メモリトランジスタ以外の浮遊ゲートを有するトランジスタは高い電圧が印加されても浮遊ゲートである第1層目のゲート電極と第2層目のゲート電極との間の層間絶縁膜で得られるキャパシタンスによって分圧されるので薄い酸化膜を用いることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板に形成され、ゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極である浮遊ゲートとこの第1のゲート電極の上に層間絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極である制御ゲートとを有するデータ記憶に使用される複数のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板に形成されたデータ記憶以外に使用される複数のトランジスタとを備え、前記データ記憶以外に使用される少なくとも1つのトランジスタは、ゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極とこの第1のゲート電極の上に層間絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極とを有し、この第1のゲート電極及び第2のゲート電極とを有しデータ記憶以外に使用されるトランジスタの少なくとも1つは、前記第1のゲート電極を浮遊ゲートとして用いることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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