特許
J-GLOBAL ID：200903087016873156
イオン発生用セラミック基板およびイオン発生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050328
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209600
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 イオン発生装置に用いるイオン発生用セラミック基板において、マイナスイオンをプラスイオンに比べて極めて効率よく数多く発生させることができるものとするとともに、これを具備するイオン発生装置を提供すること。 【解決手段】 セラミック基板5の一主面に放電電極2が、他主面に誘導電極3が互いに対向するようにして形成され、放電電極2を覆う第1の保護層6aおよび誘導電極3を覆う第2の保護層6bがそれぞれ形成されており、放電電極2と誘導電極3とに交流電圧を印加することによって、第1の保護層6aの表面に沿面放電を発生させて、空気中にプラスイオンおよびマイナスイオンを交互に発生させるイオン発生用セラミック基板1であって、セラミック基板5の気孔率が5体積%乃至10体積%であるイオン発生用セラミック基板1およびこれを備えたイオン発生装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック基板の一主面に放電電極が、他主面に誘導電極が互いに対向するようにして形成され、前記放電電極を覆う第1の保護層が前記一主面に、および前記誘導電極を覆う第2の保護層が前記他主面にそれぞれ形成されており、前記放電電極と前記誘導電極とに交流電圧を印加することによって、前記第1の保護層の表面に、前記放電電極の上方の部位から前記誘導電極の端の上方の部位へと向かう沿面放電と、前記誘導電極の端の上方の部位から前記放電電極の上方の部位へと向かう沿面放電とを交互に発生させて、空気中にプラスイオンおよびマイナスイオンを発生させるイオン発生用セラミック基板であって、前記セラミック基板の気孔率が5乃至10体積%であることを特徴とするイオン発生用セラミック基板。
IPC (5件)：
H01T23/00
, A61L9/22
, B03C3/02
, B03C3/40
, B03C3/41
H01T23/00
, A61L9/22
, B03C3/02 A
, B03C3/40 C
, B03C3/41 C
4C080AA09
, 4C080BB02
, 4C080BB05
, 4C080CC01
, 4C080MM40
, 4C080QQ11
, 4D054AA11
, 4D054BA19
, 4D054BB01
, 4D054BB03
, 4D054BB12
, 4D054BB13
, 4D054EA01
