特許
J-GLOBAL ID：200903087028535507
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105207
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293790
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】サリサイド構造を有するCMOSトランジスタにおける高アスペクト比コンタクトホールと金属配線の構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】N型不純物拡散層111a上、P型不純物拡散層111b上、N型多結晶シリコンゲート112a上およびP型多結晶シリコンゲート112b上にチタンシリサイド膜114bを形成し、次いで、層間絶縁膜117を形成した後、チタンシリサイド膜114bに達するコンタクトホールを開口する。次いで、チタンシリサイド膜表面を清浄化した後、異方性スパッタ法によりTiN膜118aを形成し、W-CVD法およびWエッチバック法によりアルミ配線を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板にN型不純物拡散層およびP型不純物拡散層ならびに一対の多結晶シリコンゲート電極を有してCMOSを構成し、前記不純物拡散層の表面ならびに前記多結晶シリコンゲート電極の表面に高融点金属シリサイド膜を有し、その上に層間絶縁膜が被着され、前記層間絶縁膜に前記不純物拡散層上の前記高融点金属シリサイド膜に達するコンタクトホールが設けられた半導体装置において、窒化チタン膜が前記コンタクトホールの内壁および前記高融点金属シリサイド膜の上面に被着して形成され、前記窒化チタン膜に被着したタングステン膜が前記コンタクトホール埋設して形成され、前記コンタクトホール内から前記層間絶縁膜の上面に被着した前記窒化チタン膜の箇所が前記層間絶縁膜の上面上を延在する配線の下層膜となっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 27/08 321 F
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 C
